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砷化鎵設備

砷化鎵多晶合成爐

砷化鎵多晶合成爐
產品詳情:

VGF 、HB 、HGF 、VB產品特點:

★用于GaAs等化合物晶體的生長         

★按結構形式:垂直生長,水平生長

★按生長方式:梯度生長及移動生長        

★晶體生長尺寸::2-6寸

★設備分類:HB 、HGF 、VGF 、 VB     

★提供專用的Ⅲ-Ⅴ,Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體的晶體薄膜生長制成專用設備,以滿足化合物半導體器件的生產、研發工藝。

主要技術指標:

★結構型式:單管水平式,加熱爐體可左右移動    

★適合2~4″晶體生長工藝(可定制)。

★爐體有效加熱長度:1600mm            

★最高工作溫度:1300℃

★恒溫區精度(靜態閉管):±0.5℃

★升溫速率(室溫~1260℃):斜變升溫速率可控在0~15℃/min

★降溫(1300℃~900℃):0~5℃/min         

★供電電源:三相五線~380V±10% ,50Hz


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